無錫光潤真空科技有限公司專業(yè)從事真空鍍膜機(jī),卷繞鍍膜機(jī),磁控鍍膜機(jī),多弧鍍膜機(jī)等產(chǎn)品生產(chǎn),銷售;我司具有20年從事真空技術(shù)應(yīng)用研制經(jīng)驗(yàn),技術(shù)力量雄厚,品質(zhì)保證,采購較好的真空鍍膜機(jī),卷繞鍍膜機(jī),磁控鍍膜機(jī),多弧鍍膜機(jī)等產(chǎn)品,請您致電:0510-88276101.

      濺射鍍膜有多種方式。其中歸納起來，1～5是按電極結(jié)構(gòu)分類，即根據(jù)電極結(jié)構(gòu)、電極的相對位置及濺射鍍膜的過程，可以分為直流二極濺射、直流三極濺射、直流四極濺射、磁控濺射、對向靶濺射、ECR濺射等。6～12是在這些基本濺射鍍膜的基礎(chǔ)上，為適應(yīng)制作各種薄膜的要求所做的進(jìn)一步改進(jìn)。反應(yīng)濺射就是在Ar中加人反應(yīng)氣體，如N2、O2、CH4、C2H2等，可制備靶材料的氮化物、氧化創(chuàng)、碳化物等化合物薄膜；偏壓濺射就是在成膜的基板上施加幾百伏的負(fù)偏壓，可使膜層致密、改善膜層的性能；射頻濺射是在射頻電壓作用下，利用電子和離子運(yùn)動特征的不同，在靶的表面感應(yīng)出負(fù)的直流脈沖，而產(chǎn)生濺射現(xiàn)象，能對絕緣體進(jìn)行濺射鍍膜。

     1、二極濺射
濺射電源：DC 1～7kV  0.15～1.5mA/cm2，RF0.3～10kW 1～10W/cm2Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33(10-2),
特點(diǎn): 構(gòu)造簡單，在大面積的基板上可以制取均勻的薄膜，放電電流流隨氣壓和電壓的變化而變化。
      2、三極濺射或四極濺射
濺射電源：DC 0～2kV  RF O～1kW，
Ar氣壓／Pa(或Torr): 6.65 x 10-2～1.33 x 10-1 (5 x 10-4～1 x 10-3)
特點(diǎn): 可實(shí)現(xiàn)低氣壓、低電醫(yī)濺射，放電電流和轟擊靶的離子能量可單獨(dú)調(diào)節(jié)控制。可自動控制靶的電流。也可進(jìn)行射頻濺射。
      3、磁控濺射(高速低溫濺射)
濺射電源： 0.2～1kV（高速低溫）3～30W/cm2
Ar氣壓／Pa(或Torr): 10～10-6 (約10-1～10-8)
特點(diǎn): 在與靶表面平行的方向上施加磁場，利用電場和磁場相互垂直的磁控管原理減少電子對基的轟擊(降低基板溫度)，使高速濺射成為可能。對Cu來說，濺射沉積速率為1.8μm/min時，溫升為2℃／μm。CU的自濺射可在10-6Pa(10-8Pa)的低壓下進(jìn)行。
     4、對向靶濺射
濺射電源：采用磁控靶Dc或RF 0.2～1kV  3～30W/cm2
Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33 x 10-1～1.33 x 10-3(10-3～10-5)
特點(diǎn): 兩個靶對向布置，在直于靶的表面方向加上磁場，基板位于磁場之外?？梢詫Υ判圆牧闲懈咚俚蜏貫R射。
     5、ECR濺射
濺射電源：0～數(shù)千伏
Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33 x 10-3(10-5)
特點(diǎn): 采用ECR等離子體，可在高真空中進(jìn)行各種濺射沉積。靶可以做得很小。
     6、射頻濺射
濺射電源： FR0.3～10kV 0～5kV
Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特點(diǎn): 開始是為了制取絕緣I體如石英、玻璃、Al2O3的薄膜而研制的。也可射鍍制金屬膜。靶表面加磁場可以進(jìn)行磁控射頻濺射。
     7、偏壓濺射
濺射電源：在基片上施加0～500V范圍內(nèi)的相對于陽極的正的或負(fù)的電位
Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特點(diǎn): 在鍍膜過程中同時清理基板上輕質(zhì)量的帶電粒子，從而使基板中不含有不純氣體(如H20、N2等殘留氣體等）。
      8、非對稱交流濺射
濺射電源： AC1～5KV  0.1～2mA/cm2
Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特點(diǎn): 振幅大的半周期內(nèi)靶進(jìn)行濺射，在振幅小的半周期內(nèi)對基板進(jìn)行離子轟擊，清理吸附的氣體，從而獲得高純的薄膜。
     9、吸氣濺射
濺射電源：DC 1～5KV   0.15～1.5mA/cm2  RF0.3～10KW 1～１0W/cm2
Ar氣壓／Pa(或Torr): 1.33(10-2)
特點(diǎn): 利用吸氣靶濺射粒子的吸氣作用，除去不純物的氣體。能獲得純度高的薄膜。
      10、自濺射
濺射電源：靶表面的磁通密度 50mT,7～10A ,φ100mm靶
Ar氣壓／Pa(或Torr):≈0（啟動時1.33 x 10-1(10-3)）
特點(diǎn): 濺射時不用氬氣，沉積速率高(達(dá)數(shù)μm/min)，被濺射原子飛行軌跡呈束狀(便于大深徑比微細(xì)孔的埋入)，目前只限于Cu、Ag的自濺射。
     11、反應(yīng)濺射
濺射電源：DC 0.2～7KV  RF0.3～10KW
Ar氣壓／Pa(或Torr): 在Ar中混入適量的活性氣體，如N2、02等分別制取TiN AlO
特點(diǎn): 制作陰極物質(zhì)的化合物薄膜，例如，如果陰極（靶）是鈦，可以制作1TiN.TiC。
從原理上講，上述各種方案都可以進(jìn)行反應(yīng)濺射，當(dāng)然9、10兩種方案一般不用于反應(yīng)濺射。
     12、離子束濺射
濺射電源：出電壓0.5～2.5kV，離子束流10～150mA
Ar氣壓／Pa(或Torr): 離子源系統(tǒng)10-2～102，濺射室3 x l0-3

特點(diǎn): 在高真空下，利用離子束濺射鍍膜，是非等離子體狀態(tài)下的成膜過程。靶接地電位也可，丕可以進(jìn)行反應(yīng)離子束濺射。

無錫光潤真空科技有限公司(簡稱“光潤真空”)是從事研發(fā)、設(shè)計、銷售、制造、服務(wù)真空鍍膜設(shè)備于一體的綜合性科技公司。

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